真空鍍膜加工磁控濺射技術(shù)有很多種。每個(gè)都有不同的工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一個(gè)共同點(diǎn)：磁場(chǎng)和電子之間的相互作用使電子在靠近目標(biāo)表面的掩埋螺旋中運(yùn)行，從而增加電子撞擊氬產(chǎn)生離子的概率。產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)的作用下與靶表面發(fā)生碰撞，并從靶表面飛濺出去。

在近幾十年的發(fā)展中，永磁體逐漸被使用，而線圈磁體很少被使用。

目標(biāo)源可分為平衡源和非平衡源。平衡靶源的涂層均勻，且非平衡靶源的涂層與基材的附著力強(qiáng)。平衡靶源主要用于半導(dǎo)體光學(xué)薄膜，非平衡靶源主要用于裝飾膜的佩戴。

無(wú)論平衡還是不平衡，如果磁鐵是靜止的，其磁性決定了現(xiàn)有材料的利用率通常小于3。為了提高靶材的利用率，可以采用旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。然而，旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要一個(gè)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，并且應(yīng)降低等待速率。旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)主要用于大型或有價(jià)值的目標(biāo)。如半導(dǎo)體薄膜濺射。對(duì)于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備，通常使用磁場(chǎng)靜態(tài)目標(biāo)源。

用磁控靶源濺射金屬和合金容易，點(diǎn)火和濺射方便。這是因?yàn)槟繕?biāo)、等離子體和飛濺零件的真空腔可以形成一個(gè)電路。但是，如果濺鍍陶瓷等絕緣體，電路就會(huì)斷開。因此，人們使用高頻電源，并在電路中添加一個(gè)強(qiáng)大的電容器。這樣，目標(biāo)成為絕緣電路中的電容器。

然而，高頻沖擊控制無(wú)線電電源價(jià)錢昂貴，源發(fā)射率很小，接地技術(shù)非常復(fù)雜，難以大規(guī)模采用。為了解決這一問(wèn)題，發(fā)明了磁控反應(yīng)彎頭。使用金屬棒，加入氬氣和氮?dú)饣蜓鯕獾确磻?yīng)氣體。當(dāng)金屬靶擊中零件時(shí)，由于轉(zhuǎn)換，它將與反應(yīng)氣體結(jié)合形成氮化物或氧化物。